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炬光科技斬獲兩項(xiàng)2022榮格激光創(chuàng)新獎(jiǎng)
發(fā)布日期：2022-07-12
?近日，炬光科技旗下“預(yù)制金錫氮化鋁襯底”和“DLight S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)”兩款產(chǎn)品脫穎而出，雙雙斬獲2022激光加工行業(yè)-榮格激光創(chuàng)新獎(jiǎng)。
預(yù)制金錫薄膜技術(shù)是保證光電子器件長(zhǎng)期可靠使用的關(guān)鍵技術(shù)。與傳統(tǒng)銦、錫鉛、錫鉍等材料相比，金錫鍵合的器件在耐用性、抗氧化能力和抗熱疲勞能力上具有更優(yōu)異的表現(xiàn)。
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預(yù)制金錫氮化鋁襯底
炬光科技預(yù)制金錫AIN陶瓷襯底AMC產(chǎn)品系列采用物理氣相沉積工藝，預(yù)制金錫薄膜厚度可以做到10微米以?xún)?nèi)，公差為+/-1微米，厚度均勻性可以達(dá)到3%左右，在應(yīng)用時(shí)大大增加了芯片封裝界面焊料鋪展的均勻性，降低封裝界面空洞，再結(jié)合高精度表面加工水平，更加滿(mǎn)足高功率芯片鍵合的需求。炬光科技是預(yù)制金錫薄膜工藝和金錫共晶鍵合工藝的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，在此領(lǐng)域擁有超過(guò)10年的技術(shù)沉淀。公司自2020年起對(duì)外供應(yīng)金錫襯底材料產(chǎn)品，目前已具備月產(chǎn)能超過(guò)50萬(wàn)只的大批量生產(chǎn)制造能力，與國(guó)內(nèi)外11家客戶(hù)建立了合作關(guān)系，打破了日本公司95%以上市占率的壟斷地位。同時(shí)炬光科技也為客戶(hù)提供定制化預(yù)制金錫襯底材料產(chǎn)品和金屬薄膜化制備服務(wù)。
DLight S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展和超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)制造能力的不斷提升，激光退火技術(shù)逐漸取代傳統(tǒng)爐管退火技術(shù)，成為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的主流技術(shù)。激光退火相對(duì)于傳統(tǒng)退火，具有選區(qū)加熱、閉環(huán)精準(zhǔn)控溫、高能量密度、連續(xù)能量輸出穩(wěn)定等特點(diǎn)，能夠滿(mǎn)足多種退火工藝需求。
DLight S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)
炬光科技DLight?S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)，結(jié)合多項(xiàng)產(chǎn)生光子、調(diào)控光子的核心技術(shù)，可生成一條線(xiàn)寬70μm，長(zhǎng)寬比達(dá)160:1的近紅外波段極窄線(xiàn)光斑，提供高達(dá)1800W/mm2的連續(xù)能量輸出，主要應(yīng)用于28nm及以下半導(dǎo)體邏輯芯片制造前道工序。通過(guò)高能量密度激光照射到晶圓表面，在不到1毫秒的時(shí)間內(nèi)將表層原子層加熱到1000℃以上再急速冷卻，有效減少工序中產(chǎn)生的晶圓電極缺陷，提高產(chǎn)品性能，提升晶圓生產(chǎn)良品率。目前，該系統(tǒng)已在2 家國(guó)內(nèi)頂尖半導(dǎo)體設(shè)備集成商客戶(hù)、2 家全球TOP5晶圓代工廠(chǎng)完成工藝驗(yàn)證。
此次，一共有64家企業(yè)申報(bào)了73項(xiàng)創(chuàng)新產(chǎn)品，幾乎覆蓋了目前激光技工領(lǐng)域的全部產(chǎn)業(yè)鏈設(shè)備及應(yīng)用產(chǎn)品，最終有34項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)和1家企業(yè)獲得本年度榮格激光加工技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)和年度創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)。據(jù)主辦方信息，本屆頒獎(jiǎng)典禮和激光加工技術(shù)論壇將于9月23日在上海舉行。
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