隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展和超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)制造能力的不斷提升，激光退火技術(shù)逐漸取代傳統(tǒng)爐管退火技術(shù)，成為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的主流技術(shù)。激光退火相對(duì)于傳統(tǒng)退火，具有選區(qū)加熱、閉環(huán)精準(zhǔn)控溫、高能量密度、連續(xù)能量輸出穩(wěn)定等特點(diǎn)，能夠滿足多種半導(dǎo)體晶圓退火工藝需求。

應(yīng)用

激光退火（Laser Annealing）是28nm及以下邏輯芯片制造前道工序中不可缺少的關(guān)鍵工藝之一。該工藝采用近紅外波段半導(dǎo)體激光光源，通過(guò)多組不同功能的激光光學(xué)整形系統(tǒng)及光學(xué)勻化系統(tǒng)，在工作距離下可達(dá)成12mm*70μm的極窄線激光光斑，將形成的高能量密度極窄激光光斑照射到晶圓表面，在不到1毫秒的時(shí)間內(nèi)將表層原子層加熱到1000°C以上再急速冷卻，從而有效減少前道工序中產(chǎn)生的晶圓電極缺陷，提高產(chǎn)品性能，提升晶圓生產(chǎn)良品率。

產(chǎn)品

炬光科技推出的DLight?S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)，結(jié)合了產(chǎn)生光子的共晶鍵合技術(shù)、激光光源熱管理技術(shù)、熱應(yīng)力控制技術(shù)以及調(diào)控光子的激光光束轉(zhuǎn)換技術(shù)和光場(chǎng)勻化技術(shù)，可生成一條線寬70μm，長(zhǎng)寬比達(dá)160:1的近紅外波段極窄線光斑，提供高達(dá)1800W/mm2的連續(xù)能量輸出，在光斑長(zhǎng)度方向上可達(dá)到＞95%的光斑均勻性和＞98%的連續(xù)輸出能量穩(wěn)定性，同時(shí)還具備工藝點(diǎn)溫度監(jiān)測(cè)，輸出光束質(zhì)量在線檢測(cè)等附加功能。

其關(guān)鍵性能指標(biāo)有（參考圖片測(cè)試數(shù)據(jù)）：

典型產(chǎn)品測(cè)試數(shù)據(jù)

DLight?S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)

炬光科技將通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新、卓越制造和快速響應(yīng)，為成為全球可信賴(lài)的光子應(yīng)用解決方案提供商而不斷努力。